AIXTRON rejoint le programme d'électronique de puissance GaN 300 mm avec Hyperion Tool

AIXTRON SE a annoncé sa participation à un programme d'électronique de puissance GaN 300 mm avec son système Hyperion GaN MOCVD. Ce système fournira des plaquettes épitaxiales de 300 mm pour le développement d'applications d'électronique de puissance telles que les chargeurs pour véhicules électriques, les onduleurs solaires et les systèmes d'alimentation pour centres de données IA.

L'Imec, institut belge de recherche sur les semi-conducteurs, a étendu son programme GaN Power au développement de plaquettes de 300 mm pour des dispositifs GaN avancés. L'utilisation de substrats plus grands vise à réduire les coûts de fabrication et à améliorer les performances des dispositifs. Le système Hyperion d'AIXTRON fonctionnera dans la salle blanche de l'Imec, contribuant ainsi au développement de la technologie GaN.

Le Dr Felix Grawert, PDG d'AIXTRON, a souligné le partenariat stratégique avec l'IMEC, favorisant l'intégration de l'épitaxie GaN 300 mm dans les salles blanches silicium. Les deux organisations collaborent depuis longtemps dans le développement de la technologie GaN.