IDEAL Semiconductor améliore la sécurité des batteries grâce aux MOSFET SuperQ™

iDEAL Semiconductor a dévoilé une nouvelle technologie MOSFET SuperQ™ conçue pour améliorer la sécurité et l'efficacité des systèmes de gestion de batteries haute tension. Ce composant 150 V/2,5 mΩ offre une résistance aux courts-circuits (SCWC) supérieure, un critère essentiel pour les commutateurs de décharge des systèmes de gestion de batteries, réduisant ainsi le nombre de composants nécessaires jusqu'à 50 % dans les systèmes fonctionnant à plus de 72 V.

Cette innovation répond aux défis posés par les batteries haute tension, omniprésentes dans la mobilité électrique et l'outillage électroportatif, où les courants de court-circuit peuvent atteindre des niveaux critiques. La plateforme SuperQ™ garantit une robustesse élevée sans compromettre la faible résistance, améliorant ainsi les performances par rapport à la concurrence. Une structure de cellule exclusive permet cet équilibre.

Les dispositifs SuperQ promettent des économies et une efficacité accrues, grâce à un nombre réduit de MOSFET et à des pertes par conduction minimisées. Disponibles jusqu'à 200 V, ils s'adaptent aux systèmes à partir de 72 V et établissent une nouvelle norme industrielle en matière de sécurité et de fiabilité.