MOSFET SiC de ROHM intégré aux systèmes d'alimentation des serveurs d'IA

ROHM Co., Ltd. a confirmé que son MOSFET SiC 750 V est désormais intégré à une unité de secours par batterie (BBU) pour l'alimentation des serveurs d'IA. L'adoption des architectures HVDC (courant continu haute tension) pour les serveurs d'IA répond à la demande croissante en énergie générée par l'IA générative. Dans ce contexte, le composant de puissance SiC de ROHM est essentiel pour les futurs systèmes d'alimentation.

L'intelligence artificielle améliorant les performances des GPU, les centres de données adoptent des infrastructures HVDC pour réduire les pertes de transmission. Dans les environnements haute tension, les unités de secours (BBU) et les unités de contrôle (CU) sont essentielles à la protection du système lors des coupures de courant. Le MOSFET SiC 750 V « SCT4013DLL » est intégré dans une alimentation +400 V / -400 V pour les serveurs d'IA. Sa température de jonction admissible de 175 °C garantit un fonctionnement fiable des BBU malgré l'augmentation de la température et de la consommation électrique.

Pour les futurs systèmes 800 V CC, les MOSFET SiC 750 V de ROHM sont parfaitement adaptés, compte tenu de leur compatibilité avec les tensions des batteries 560 V. La croissance continue du marché des serveurs d'IA incite ROHM à accélérer le développement de dispositifs à base de SiC, GaN et silicium, dans le but d'améliorer l'efficacité énergétique et la durabilité.